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垂直布里奇曼法(VB)爐(非銥技術)

本設備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長(無銥法),將原料放在垂直的坩堝內, 然后從坩堝尖端開始通過預設好的溫度梯度區作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。

HVPE外延爐——臥式

本設備主要用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)等外延生長。

HVPE外延爐——立式

本設備主要用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)等外延生長。

導模法長晶爐

本設備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長,將原料放在留有狹縫的模具中,熔液借虹吸作 用上升到模具頂部,受籽晶誘導結晶生長成單晶。

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