liguan1218@163.com
15562450816
中文 | English
網站首頁
關于我們
公司簡介
企業文化
專利證書
產品展示
半導體工藝設備
化合物半導體設備
新聞資訊
公司新聞
行業資訊
招賢納士
管理理念
加入力冠
聯系我們
English
關鍵詞：
HVPE外延爐——立式
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）等外延生長。
怎么才能選擇一款適合您的？
讓我們協助您！
我們的專家盡快與您聯系，滿足您更多需求。
最新產品
LPCVD立式爐
LPCVD臥式爐
SiC高溫退火爐
SiC高溫氧化爐
臥式爐
立式爐
MPCVD長晶爐
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術）
HVPE外延爐——臥式
最新新聞
槐蔭區第十九屆人大常委會成員蒞臨山東力冠微電子裝備有限公司視察調研
從8英寸PVT設備批量交付到12英寸電阻法長晶系統商業化落地——第三代半導體裝備國產化進程提速
山東力冠微電子裝備二期項目正式簽約！
瑞獅賀歲，開工大吉 —— 山東力冠微電子裝備有限公司 2025 開工盛典圓滿舉行
力冠動態 | 力冠亮相第八屆國際碳材料大會
力冠動態 | 山東力冠亮相第五屆亞太碳化硅及相關材料國際會議
在線留言
擴散/氧化/退火
CVD設備
SiC單晶生長設備
GaN單晶生長設備
Ga2O3單晶生長設備
金剛石單晶生長設備
地址：濟南市槐蔭區濟南寬禁帶半導體產業園
電話：15562450816
郵箱：liguan1218@163.com
Copyright ? 山東力冠微電子裝備有限公司
網站建設：中企動力 濟南二分 | 標簽 | 營業執照 | 城市分站
